- self-aligned silicide
- Микроэлектроника: самосовмещённый силицидный затвор, самосовмещённый силицид
Универсальный англо-русский словарь. Академик.ру. 2011.
self-aligned silicide
Смотреть что такое "self-aligned silicide" в других словарях:
self-aligned silicide base contact integrated-circuit technology — integrinių grandynų su susitapatinančiais silicidiniais bazės kontaktais technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned silicide base contact integrated circuit technology vok. selbstjustierende… … Radioelektronikos terminų žodynas
Silicide — A silicide is a compound that has silicon with more electropositive elements.Silicon is more electropositive than carbon. Silicides are structurally closer to borides than to carbides.Similar to borides and carbides, the composition of silicides… … Wikipedia
Salicide — The term salicide refers to a technology used in the microelectronics industry used to form electrical contacts between the semiconductor device and the supporting interconnect structure. The salicide process involves the reaction of a thin metal … Wikipedia
MOSFET — Two power MOSFETs in the surface mount package D2PAK. Operating as switches, each of these components can sustain a blocking voltage of 120 volts in the OFF state, and can conduct a continuous current of 30 amperes in the ON state, dissipating up … Wikipedia
Siliciure — Un siliciure est un composé comportant du silicium contenant des éléments électropositifs. C est une variété silicée d intermétallique. Description Les siliciures sont des composés proches des borures et des carbures, cependant, le silicium étant … Wikipédia en Français
Saliciure — Le terme saliciure (de l anglais salicide) désigne une technique utilisée en micro électronique pour former des contacts électriques entre un composant à semi conducteur en silicium et sa structure d interconnexion au reste du circuit électrique … Wikipédia en Français
integrinių grandynų su susitapatinančiais silicidiniais bazės kontaktais technologija — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned silicide base contact integrated circuit technology vok. selbstjustierende Silizidbasenkontakttechnik, f rus. технология интегральных схем с самосовмещёнными силицидными базовыми… … Radioelektronikos terminų žodynas
selbstjustierende Silizidbasenkontakttechnik — integrinių grandynų su susitapatinančiais silicidiniais bazės kontaktais technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned silicide base contact integrated circuit technology vok. selbstjustierende… … Radioelektronikos terminų žodynas
technologie des circuits intégrés à contacts de base auto-alignées en siliciure — integrinių grandynų su susitapatinančiais silicidiniais bazės kontaktais technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned silicide base contact integrated circuit technology vok. selbstjustierende… … Radioelektronikos terminų žodynas
технология интегральных схем с самосовмещёнными силицидными базовыми контактами — integrinių grandynų su susitapatinančiais silicidiniais bazės kontaktais technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned silicide base contact integrated circuit technology vok. selbstjustierende… … Radioelektronikos terminų žodynas
Polycide — is a silicide formed over polysilicon. Widely used in DRAMs. In a polycide MOS transistor process, the silicide is formed only over the polysilicon film as formation occurs prior to any polysilicon etch. Polycide processes contrast with salicide… … Wikipedia
